Sumin Hong

BIO

홍수민 연구원은 MoS₂ 기반 top-gate 2D transistor를 제작하고 소자의 안정성을 향상시키기 위한 연구를 수행하였습니다. 특히 MoS₂ 내 sulfur vacancy와 산소 간의 상호작용 및 교환 거동을 분석하며, 결함 제어를 통한 2D 반도체 소자의 안정성 향상 메커니즘을 연구했습니다. 이러한 연구를 통해 연구실 내 2D 물질 및 소자 연구의 기반을 마련하는 데 중요한 역할을 하였습니다. 꾸준한 연구 활동을 바탕으로 Advanced Functional Materials와 ACS Nano에 게재된 논문에 참여하며 연구실의 연구 성과에 기여하였습니다. 새로운 분야를 처음 개척하는 과정에서 여러 시행착오가 있었음에도 연구를 끝까지 이어가며 자신만의 경험과 노하우를 쌓아간 점이 특히 인상적이었습니다. 무엇보다 홍수민 연구원은 함께했던 사람들에게 좋은 기억을 많이 남긴 학생이었습니다. 어디에 있든 주변의 분위기를 밝게 만들어주는 긍정적인 에너지를 지니고 있었으며, 따뜻한 마음으로 동료들을 세심하게 챙기고 힘든 일이 있을 때에는 먼저 다가가 위로를 건넬 줄 아는 학생이었습니다. 또한 본인에게 힘든 일이 찾아오더라도 금방 다시 일어나 앞으로 나아갈 수 있는 강한 회복력과 긍정적인 태도를 가진 학생이기도 했습니다. 앞으로의 새로운 여정에서도 지금과 같은 밝은 에너지로 주변 사람들에게 힘이 되어주며 멋지게 성장해 나가기를 진심으로 응원합니다.

Education

• MS / Graduate School of Semiconductor Materials and Devices Engineering, UNIST (Mar 2024 - July 2026)
• BS / Department of Nanotechnology & Advanced Materials Engineering, Sejong University (Mar 2019 – Feb 2023)

Publications in Lab

Journal

1. Back-end-of-line-compatible passivation of sulfur vacancies in MoS₂ transistors using electron-withdrawing benzenethiol
   Co-author · ACS Nano 19, 6069-6078 (2025).
2. Statistically resolving thickness-dependent electrical characteristics in multilayer-MoS₂ transistors
   Co-author · Advanced Functional Materials 36, e32204 (2026).