Hyeonho Gu

BIO

구현호 연구원은 2023년 7월부터 2026년 2월까지 UNIST Nanoelectronics and Advanced Packaging Lab (UNL)에서 석사과정을 수행하였습니다. 그의 연구는 산화물 반도체 기반 메모리 소자, 특히 Monolithic 3D (M3D) 집적을 위한 ITO 수직 채널 트랜지스터와 2T0C Gain-Cell 메모리에 집중되었으며, 이는 현재 연구실의 핵심 연구 방향으로 자리잡은 분야입니다. IEEE Electron Device Letters 제1저자 게재 및 ACS Nano 공동저자 게재를 통해 해당 분야 발전에 뚜렷한 발자취를 남겼습니다. 무엇보다 구현호 연구원은 연구실의 기술적 토대를 세운 학생으로, 자신이 쌓아온 공정 전문성을 아낌없이 나누며 후배들이 어려운 실험 과정을 헤쳐나갈 수 있도록 이끌어 주었습니다. 구현호 연구원이 구축해놓은 실험적 기반 위에서 연구실은 지금도 성장을 이어가고 있습니다. 그의 헌신과 묵묵한 리더십, 그리고 언제나 주변을 따뜻하게 만들었던 그의 존재는 UNL을 떠난 이후에도 오랫동안 기억될 것입니다. 현재 KAIST 전기및전자공학부 Post-MS 연구원으로서 새로운 도전을 이어가고 있습니다.

Career

• Post MS Researcher / Department of Electrical Engineering, KAIST (Apr 2026 - present)
• Post MS Researcher / Department of Electrical Engineering, UNIST (Mar 2026)

Education

• MS / Department of Electrical Engineering, UNIST (Sep 2023 - Feb 2026)
• BS / Department of Electrical and Information Engineering, SeoulTech (Mar 2017 - Feb 2023)

Publications in Lab

Journal

1. Back-end-of-line-compatible passivation of sulfur vacancies in MoS₂ transistors using electron-withdrawing benzenethiol
   Co-author · ACS Nano 19 (6), 2025
2. Indium tin oxide vertical channel transistors for scaled 4F² 2T0C gain cell memory with etched sidewall cleaning
   First author · IEEE Electron Device Letters 47 (4), 2026
3. Wafer-scale non-ferroelectric κ-phase 2D In₂Se₃ transistors
   Co-author · Nature Communications (early access)
4. Oxygen-tunnel-engineered indium tin oxide vertical channel transistors enabling high-performance embedded memory for monolithic 3D integration
   First author · under review

Conference

1. Thermal evaluation and comparison of CAA and GAA indium tin oxide vertical channel transistors
   Co-author · 2025 71th IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)